[공공뉴스=이민경 기자] 삼성전자가 경기 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시(메모리 반도체) 생산라인 구축을 위해 8조원 규모의 투자를 단행한다.

이재용 삼성전자 부회장은 지난달 21일 평택캠퍼스 내 파운드리(반도체 위탁생산) V2 라인 조성을 위해 10조원을 투입한다는 소식을 전한 지 열흘 만에 또 다시 투자를 결정한 것. 이는 삼성전자가 메모리 반도체 업계 선두주자로서 ‘초격차’를 유지하겠다는 이 부회장의 의지가 담겼다는 평가다.

삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 오는 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 1일 밝혔다. 

삼성전자는 이번 투자 배경에 대해 “AI(인공지능), IoT(사물인터넷) 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에 대응하기 위한 것”이라고 설명했다.

특히 최근 ‘언택트’(Untact·비대면) 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해 나간다는 전략.

2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 차세대 메모리 전초기지로서 세계 최대규모의 생산라인 2개가 건설됐다. 이번 투자로 증설된 라인에서는 삼성전자의 최첨단 V낸드 제품이 양산될 예정이다.

삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 제조, 기술경쟁력으로 글로벌 시장 리더의 자리를 지키고 있으며 지난 해 7월 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

최정 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 “이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력”이라며 “최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가 경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형 있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장 리더십을 더욱 강화할 방침이다. 

한편, 이 부회장은 최근 반도체 투자 행보를 이어가고 있다. 지난달 중국 산시성 시안 반도체 공장에 인력을 파견해 증설에 속도를 낸 것은 물론, 평택캠퍼스 파운드리 라인 구축을 발표하기도 했다. 

시안 반도체 공장은 삼성전자의 유일한 해외 메모리 생산 기지로, 스마트폰과 PC, 서버 등에서 데이터 저장장치로 활용하는 낸드플레시 메모리를 양산한다. 

2012년 1기 기공식을 시작으로, 2013년 전자연구소 설립, 2014년에는 1세대 V낸드 양산과 2015년 후공정 라인 완공, 2018년 2기 증설 등 꾸준한 투자가 이어지고 있다.  

이 부회장은 지난달 18일 시안 반도체 공장 방문 당시 “과거에 발목 잡히거나 현재에 안주하면 미래는 없다”며 “새로운 성장동력을만들기 위해서는 다가오는 거대한 변화에 선제적으로 대비해야 한다”고 강조했다

그러면서 “시간이 없다. 때를 놓치면 안 된다”라고 발빠른 위기 대응 및 과감한 미래 도전을 주문했다. 

또한 삼성전자가 지난해 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 일정표에 맞춰 10조원을 쏟아 평택캠퍼스 파운드리 생산 시설을 구축하는 등 반도체 분야 글로벌 1위를 위한 세부 전략을 실행 중이다. 

삼성전자는 올 1분기 반도체 시설 투자에 전년동기(3조6000억원) 대비 2배 가까운 6조원을 투입했다. 이 같은 추세라면 삼성전자의 올해 반도체 투자액은 지난해 연간 기록한 투자액인 22조5649억원을 뛰어넘을 것으로 전망된다.